IS43LR16128B-5BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43LR16128B-5BLI |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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300+ | $9.8204 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x10) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 2Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 208 MHz |
Zugriffszeit | 5 ns |
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 1
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
2024/04/27
2023/12/20
2024/08/29
2024/06/28
IS43LR16128B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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